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参数资料
| 型号： | AUIRFP2907Z |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 170 A, 75 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | AUIRFP2907Z |
AUIRFP2907Z
www.irf.com
5
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
100000
C
,C
ap
ac
ita
nc
e(
pF
)
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
50
100
150
200
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
V
G
S
,G
at
e-
to
-S
ou
rc
e
V
ol
ta
ge
(V
)
VDS= 60V
VDS= 38V
VDS= 15V
ID= 90A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
1
10
100
1000
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100sec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
nce
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PDF描述 |
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