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参数资料
| 型号： | AUIRFR3504TR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 56 A, 40 V, 0.0092 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 224K |
| 代理商： | AUIRFR3504TR |
AUIRFR3504
6
www.irf.com
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
μF
50K
Ω
.2
μF
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
Fig 14. Threshold Voltage Vs. Temperature
RG
IAS
0.01
Ω
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
VGS
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
500
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
,S
ingl
eP
ul
se
A
val
anc
he
E
ner
gy
(
m
J)
AS
°
ID
TOP
BOTTOM
12A
21A
30A
-75 -50 -25
0
25 50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
G
S
(t
h)
G
at
e
th
re
sh
ol
d
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 250μA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRFR3504Z | 42 A, 40 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRFR3504ZTRL | 42 A, 40 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRFR3504ZTRR | 42 A, 40 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRFR3504ZTR | 42 A, 40 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRFR3710ZTRR | 42 A, 100 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRFR3504TRL | 功能描述:MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9.2mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR3504TRR | 功能描述:MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9.2mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR3504Z | 功能描述:MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR3504ZTR | 功能描述:MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR3504ZTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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