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参数资料
| 型号： | AUIRFR3504ZTRL |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 42 A, 40 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | AUIRFR3504ZTRL |
AUIRFR3504Z
www.irf.com
11
TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
12.1 ( .476 )
11.9 ( .469 )
FEED DIRECTION
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
NOTES :
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481.
16 mm
13 INCH
D-Pak (TO-252AA) Tape & Reel Information
Dimensions are shown in millimeters (inches)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRFR3504ZTRR | 42 A, 40 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRFR3504ZTR | 42 A, 40 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRFR3710ZTRR | 42 A, 100 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRFR3710ZTRL | 42 A, 100 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRFR3710Z | 42 A, 100 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRFR3504ZTRR | 功能描述:MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR3607 | 功能描述:MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR3607 | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET AUTOMOTIVE 75V 56A TO-25 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, AUTOMOTIVE, 75V, 56A, TO-252 |
| AUIRFR3607TR | 功能描述:MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR3607TRL | 功能描述:MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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