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参数资料
| 型号： | AUIRS2004S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVIER HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 680ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 200V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
AUIRS2004S
Description
The AUIRS2004S is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced
output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The
logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse
current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive N-channel
power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates from 10V to 200 volts.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| AUIRS2012STR | 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 驱动配置:半桥 通道类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.7V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:22ns，15ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 |
| AUIRS20161S | 功能描述:功率驱动器IC 150V High Side DRVR 4.4V to 20V .25A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS20161STR | 功能描述:功率驱动器IC 150V High Side DRVR 4.4V to 20V .25A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS20162STR | 功能描述:IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 驱动配置:高压侧 通道类型:单路 驱动器数:1 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.4 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA，250mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:150V 上升/下降时间（典型值）:200ns，200ns 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:2,500 |
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