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参数资料
| 型号： | AUIRS2110S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 140ns |
| 电流 - 峰： | 2.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 500V |
| 电源电压： | 3 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
AUIRS211(0,3)S
Parameter Temperature Trends
Figures illustrated in this chapter provide information on the experimental performance of the AUIRS211(0,3)S
HVIC. The line plotted in each figure is generated from actual lab data. A large number of individual samples were
tested at three temperatures (-40 oC, 25 oC, and 125 oC) in order to generate the experimental curve. The line
consists of three data points (one data point at each of the tested temperatures) that have been connected
together to illustrate the understood trend. The individual data points on the Typ. curve were determined by
calculating the averaged experimental value of the parameter (for a given temperature).
260
220
180
190
165
140
140
M ax.
Typ.
115
M ax.
100
M in.
-50 -25 0 25 50 75 100
Temperature ( o C)
Figure 7. Turn-On Time vs. Temperature
125
90
Typ .
M in.
-50
-25
0
25 50
Temperature ( o C)
75
100
125
Figure 8. Turn-Off Time vs. Temperature
190
28
165
140
26
24
M ax.
Typ.
115
M ax.
Typ.
22
M in.
90
M in.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( o C)
Figure 9. Shutdown Time vs. Temperature
www.irf.com
12
Temperature ( o C)
Figure 10. Turn-On Rise Time vs. Temperature
? 2008 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2334STRPBF | IC MOSFET DRIVER |
| ABM3B-14.7456MHZ-10-1-U-T | CRYSTAL 14.7456MHZ 10PF SMD |
| AUIRS2113STR | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC |
| AUIRS2110STR | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC |
| ABM3-27.000MHZ-D2Y-T | CRYSTAL 27.000 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRS2110STR | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 2-Ch 500V 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2112S | 功能描述:功率驱动器IC High Low 600V DRVR 10V 20V 290mA 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2112STR | 功能描述:功率驱动器IC 600V High Low DRVR Automotive 290mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2113S | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 2-Ch 600V 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2113STR | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 2-Ch 600V 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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