- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录314 > AUIRS2113S (International Rectifier)IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | AUIRS2113S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 140ns |
| 电流 - 峰： | 2.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 3 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
AUIRS211(0,3)S
Functional Block Diagram
www.irf.com
7
? 2008 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRS2118S | IC DRIVER HIGH SIDE SGL 8SOIC |
| AUIRS2123S | IC DRIVER HIGH SIDE 600V 8SOIC |
| AUIRS2127STR | IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC |
| AUIRS21811S | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC |
| AUIRS2181S | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRS2113STR | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 2-Ch 600V 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2117S | 功能描述:功率驱动器IC AUTO Grade Single Chnl 600V Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2117STR | 功能描述:功率驱动器IC AUTO Grade Single Chnl 600V Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2118S | 功能描述:功率驱动器IC AUTO Grade Single Chnl 600V Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2118STR | 功能描述:功率驱动器IC AUTO Grade Single Chnl 600V Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。