- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17554 > AUIRS2117STR (International Rectifier)IC DRIVER HIGH SIDE SGL 8SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AUIRS2117STR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH SIDE SGL 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 140ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRS211(7,8)S
Static Electrical Characteristics
Unless otherwise noted, these specifications apply for an operating junction temperature range of -40°C ≤ Tj ≤ 125°C
with bias conditions of V BIAS (V CC , V BS ) = 15 V. The V IL, V IH and I IN parameters are referenced to COM. The V O and I O
parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads : HO.
Symbol
Definition
Min Typ Max Units
Test Conditions
V IH
Logic “1” input voltage
AUIRS2117
AUIRS2118
9.5
—
—
V IL
V OH
V OL
I LK
Logic “0” input voltage
High level output voltage, V BIAS - V O
Low level output voltage, V O ?
Offset supply leakage current
AUIRS2117
AUIRS2118
—
—
—
—
—
0.05
0.02
—
6.0
0.2
0.2
50
V
I O = 2 mA
V B = V S = 600 V
I QBS
I QCC
I IN+
I IN-
Quiescent V BS supply current
Quiescent V CC supply current
Logic “1” input bias current
Logic “0” input bias current
AUIRS2117
AUIRS2118
AUIRS2117
AUIRS2118
—
—
—
—
50
70
20
—
240
340
40
5.0
μA
V IN = 0 V or V CC
V IN = V CC
V IN = 0 V
V IN = V CC
V BSUV+
V BS supply undervoltage positive going threshold
7.6
8.6
9.6
V BSUV-
V CCUV+
V CCUV-
V BS supply undervoltage negative going threshold
V CC supply undervoltage positive going threshold
V CC supply undervoltage negative going threshold
7.2
7.6
7.2
8.2
8.6
8.2
9.2
9.6
9.2
V
I O+
I O-
Output high short circuit pulsed current
Output low short circuit pulsed current
200 290
420 600
—
—
mA
V O = 0 V,
V IN = Logic “1”
PW ≤ 10 μs
V O = 15 V,
V IN = Logic “0”
PW ≤ 10 μs
Dynamic Electrical Characteristics
Unless otherwise noted, these specifications apply for an operating junction temperature range of -40°C ≤ Tj ≤ 125°C
with bias conditions of V BIAS (V CC , V BS ) = 15 V, C L = 1000 pF. The dynamic electrical characteristics are measured
using the test circuit shown in Fig. 3.
Symbol
t on
t off
t r
t f
Definition
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Min
—
—
—
—
Typ
140
140
75
25
Max
225
225
130
65
Units
ns
Test Conditions
V S = 0 V
V S = 600 V
Note: Please refer to figures in Parameter Temperature Trends section
www.irf.com
6
? 2008 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3059Y-1-501 | TRIMMER 500 OHM 1W TH |
| 3059Y-1-201 | TRIMMER 200 OHM 1W TH |
| 3059Y-1-101 | TRIMMER 100 OHM 1W TH |
| R0.25S-2424/P-R | CONV DC/DC 0.25W 24V IN 24V OUT |
| ABM7-11.2896MHZ-D-2-Y-T | CRYSTAL 11.2896 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRS2118S | 功能描述:功率驱动器IC AUTO Grade Single Chnl 600V Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2118STR | 功能描述:功率驱动器IC AUTO Grade Single Chnl 600V Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2123S | 功能描述:功率驱动器IC High Side Driver IC 600V 500mA 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2123STR | 功能描述:功率驱动器IC High Side Driver IC 600V 500mA 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2124S | 功能描述:功率驱动器IC High Side Driver IC 600V 500mA 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。