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参数资料
| 型号： | AUIRS21271S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 14/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 200ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
AUIRS212(7,71,8,81)S
100
80
M ax.
60
Typ.
40
M in.
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
o
Figure 11A. CS Shutdown Prop. delay vs. Temperature
400
350
300
Figure 11B. CS Shutdown Prop. delay vs. Voltage
250
M ax.
Typ.
200
M in.
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
o
Figure 12A. CS to Fault pull-up Prop. delay vs.
Temperature
320
290
M ax.
Figure 12B. CS to Fault Prop. delay vs. Voltage
2.2
2.0
260
1.8
M ax.
Typ.
230
Typ.
1.6
M in.
200
M in.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
Temperature ( o C)
Figure 13A. 2127(8) V CSTH+ threshold voltage vs.
Temperature
www.irf.com
14
o
Figure 13B. 2127(8)1 V CSTH+ threshold voltage vs.
Temperature
? 2012 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRS21271STR | 功能描述:功率驱动器IC AUTO 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2127S | 功能描述:功率驱动器IC AUTO 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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