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参数资料
| 型号： | AUIRS2128S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 12/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 200ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
AUIRS212(7,71,8,81)S
Parameter Temperature Trends
Figures 6-33 provide information on the experimental performance of the AUIRS212(7, 71, 8, 81)S HVIC. The line
plotted in each figure is generated from actual lab data.
A large number of individual samples were tested at three temperatures (-40 oC, 25 oC, and 125 oC) in order to
generate the experimental curves. The line consists of three data points (one data point at each of the tested
temperatures) that have been connected together to illustrate the understood trend. The individual data points on
the curve were determined by calculating the averaged experimental value of the parameter (for a given
temperature).
A different set of individual samples was used to generate curves of parameter trends vs. supply voltage.
210
185
160
135
110
M ax.
Typ.
M in.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
o
Figure 6A. Turn-On Propagation Delay vs. Temperature
200
175
150
M ax.
Figure 6B. Turn-On Propagation Delay vs. Supply Voltage
125
Typ .
M in.
100
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
o
Figure 7A. Turn-Off Propagation Delay vs. Temperature
www.irf.com
12
Figure 7B. Turn-Off Propagation Delay vs. Supply Voltage
? 2012 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RPM30-1212SE | CONV DC/DC 30W 9-18VIN 12VOUT |
| AUIRS21281S | IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC |
| RPM30-1205SE | CONV DC/DC 30W 9-18VIN 05VOUT |
| ABM3B-13.560MHZ-10-1-U-T | CRYSTAL 13.5600MHZ 10PF SMD |
| IR21084STRPBF | IC DRIVER HALF BRIDGE 14SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRS2128STR | 功能描述:功率驱动器IC AUTO 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS21811S | 功能描述:功率驱动器IC High Low Side DRVR 600V 160ns 1.9A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS21811STR | 功能描述:功率驱动器IC High Low Side DRVR 600V 160ns 1.9A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS21814S | 功能描述:功率驱动器IC High Low Side DRVR 600V 160ns 1.9A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS21814STR | 功能描述:功率驱动器IC High Low Side DRVR 600V 160ns 1.9A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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