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参数资料
| 型号： | AUIRS2301STR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 220ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 5 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRS2301S
Input/Output Pin Equivalent Circuit Diagrams:
V B
ESD
Diode
HO
25V
ESD
Diode
V S
600V
V CC
ESD
Diode
LO
COM/V SS
www.irf.com
ESD
Diode
25V
8
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HBC08DRTS | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
| IPR3SAD6L0Y | SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V |
| 3262X-1-253 | TRIMMER 25K OHM 0.25W TH |
| 3262X-1-203 | TRIMMER 20K OHM 0.25W TH |
| 3262X-1-103 | TRIMMER 10K OHM 0.25W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRS2302S | 功能描述:功率驱动器IC AUTO HALF BRDG DRVR 600V 5V to 20V 60ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2302STR | 功能描述:功率驱动器IC AUTO HALF BRDG DRVR 600V 5V to 20V 60ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2332J | 功能描述:功率驱动器IC AUTO HI VTG HI SPEED 600V 3-Phase 540ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2332JTR | 功能描述:功率驱动器IC AUTO HI VTG HI SPEED 600V 3-Phase 540ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIRS2334S | 功能描述:功率驱动器IC Automotive HiSpd Pwr MOSFET & IGBT Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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