- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录298849 > AZ23B3V0-V-G-GS08 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 3 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AZ23B3V0-V-G-GS08 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GREEN PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | AZ23B3V0-V-G-GS08 |
AZ23-V-G-Series
Vishay Semiconductors
Document Number 85867
Rev. 1.1, 26-Aug-09
www.vishay.com
6
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
Layout for RthJA test
Thickness: Fiberglass 0.059 inches (1.5 mm)
Copper leads 0.012 inches (0.3 mm)
Figure 13. Breakdown Characteristics
18112
10
20
30
0
40 V
VZ
mA
30
20
10
0
lZ
33
Test
current
IZ 5 mA
Tj = 25 °C
10
12
15
18
22
27
36
Figure 14. Breakdown Characteristics
18113
mA
10
8
6
4
2
0
lZ
10 20 30 40 50 60 70 8090
0
100 V
VZ
43
39
Test
current
I
Z 5 mA
Tj = 25 °C
47
51
17451
15 (0.59)
12 (0.47)
0.8 (0.03)
5 (0.2)
7.5 (0.3)
3 (0.12)
1 (0.4)
2 (0.8)
1.5 (0.06)
5.1 (0.2)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AZ23C3V9-V-G | 3.9 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| AZ23C8V2-V-G-GS08 | 8.2 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| AZ23C9V1-V-G | 9.1 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| AZ23C13-V-GS08 | 13.25 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| AZ23C47-V-GS18 | 47 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AZ23B3V3-E3-08 | 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 3.3V 300mW ±2% SOT-23 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 |
| AZ23B3V3-E3-18 | 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 3.3V 300mW ±2% SOT-23 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:10,000 |
| AZ23B3V3-G | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes, Dual |
| AZ23B3V3-G3-08 | 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 3.3V 300mW ±2% SOT-23 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 |
| AZ23B3V3-G3-18 | 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 3.3V 300mW ±2% SOT-23 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:10,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。