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参数资料
| 型号： | AZ23C47-V-GS18 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 47 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | AZ23C47-V-GS18 |
AZ23-V-Series
Vishay Semiconductors
Document Number 85759
Rev. 1.6, 26-Aug-10
www.vishay.com
5
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Figure 7. Change of Zener Voltage vs. Junction Temperature
Figure 8. Temperature Dependence of Zener Voltage vs.
Zener Voltage
Figure 9. Change of Zener Voltage vs. Junction Temperature
18124
V
Z at IZ = 5 mA
25
15
10
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
4.7
3.6
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
- 1
- 0.2
V
Z
V
T
j
020
40
60
80
100 120 140 C
Δ
18125
Δ
100
80
60
40
20
0
mV/°C
Δ
V
Z
T
j
0
20
40
80
60
100 V
V
Z
I
Z = 5 mA
18126
Δ
9
7
5
3
1
- 1
V
VZ
8
6
4
2
0
100
60
Tj
20
40
120
80
140 °C
IZ = 2 mA
51
43
36
Figure 10. Change of Zener Voltage from Turn-on up to the Point
of Thermal Equilibrium vs. Zener Voltage
Figure 11. Change of Zener Voltage from Turn-on up to the Point
of Thermal Equilibrium vs. Zener Voltage
Figure 12. Breakdown Characteristics
18127
Δ
1.6
1.2
0.8
0.4
0
- 0.4
V
Z
1.4
1
0.6
0.2
- 0.2
1
23
4
5
23
4
5
10
100 V
V
Z at IZ = 5 mA
V
Z = Rzth x IZ
Δ
18128
Δ
5
4
3
2
1
0
V
Z
0
20
40
60
80
100 V
V
Z
I
Z = 5 mA
I
Z = 2 mA
V
Z = Rzth x IZ
Δ
18111
Test
current
I
Z 5 mA
1
23
4
5
67
8
9
0
10 V
VZ
3.3
3.9 5.6
2.7
mA
50
40
30
20
10
0
lZ
Tj = 25 °C
8.2
6.8
4.7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AZ23C4V3-V-GS08 | 4.3 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AZ23C4V3_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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