参数资料
型号: AZ23C8V2-V-G-GS08
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 8.2 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: GREEN PACKAGE-3
文件页数: 6/8页
文件大小: 90K
代理商: AZ23C8V2-V-G-GS08
AZ23-V-G-Series
Vishay Semiconductors
Document Number 85867
Rev. 1.1, 26-Aug-09
www.vishay.com
6
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Layout for RthJA test
Thickness: Fiberglass 0.059 inches (1.5 mm)
Copper leads 0.012 inches (0.3 mm)
Figure 13. Breakdown Characteristics
18112
10
20
30
0
40 V
VZ
mA
30
20
10
0
lZ
33
Test
current
IZ 5 mA
Tj = 25 °C
10
12
15
18
22
27
36
Figure 14. Breakdown Characteristics
18113
mA
10
8
6
4
2
0
lZ
10 20 30 40 50 60 70 8090
0
100 V
VZ
43
39
Test
current
I
Z 5 mA
Tj = 25 °C
47
51
17451
15 (0.59)
12 (0.47)
0.8 (0.03)
5 (0.2)
7.5 (0.3)
3 (0.12)
1 (0.4)
2 (0.8)
1.5 (0.06)
5.1 (0.2)
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PDF描述
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AZ23C4V3-V-GS08 4.3 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
B07D934BB2-0119 POWER/SIGNAL RELAY, DPDT, MOMENTARY, 0.16A (COIL), 12VDC (COIL), 1920mW (COIL), 10A (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT
相关代理商/技术参数
参数描述
AZ23C8V2-V-GS08 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 0.3W 5% CA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
AZ23C8V2-V-GS18 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 0.3W 5% CA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
AZ23C8V7 _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
AZ23C8V7_ R2 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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