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B82464G2332M

配单专家企业名单
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  • B82464G2332M
    B82464G2332M

    B82464G2332M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
B82464G2332M PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 3.3μH Shielded Wirewound Inductor Nonstandard
  • 制造商
  • epcos (tdk)
  • 系列
  • B82464G2
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 过期
  • 类型
  • 绕线
  • 材料 - 磁芯
  • 铁氧体
  • 电感
  • 3.3μH
  • 容差
  • ±20%
  • 额定电流
  • -
  • 电流 - 饱和值
  • -
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 电阻(DCR)
  • -
  • 不同频率时的 Q 值
  • -
  • 频率 - 自谐振
  • -
  • 等级
  • AEC-Q200
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C
  • 频率 - 测试
  • 100kHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 非标准
  • 大小/尺寸
  • 0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm)
  • 高度 - 安装(最大值)
  • 0.118"(3.00mm)
  • 标准包装
  • 1,250
B82464G2332M 技术参数
  • B82464G2272M 功能描述:2.7μH Shielded Wirewound Inductor 3.85A 19 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.7μH 容差:±20% 额定电流:3.85A 电流 - 饱和值:4.25A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):19 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1,250 B82464G2224M 功能描述:220μH Shielded Wirewound Inductor 500mA 1.2 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:220μH 容差:±20% 额定电流:500mA 电流 - 饱和值:490mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):1.2 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1,250 B82464G2223M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:22μH 容差:±20% 额定电流:1.5A 电流 - 饱和值:1.52A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):130 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1,250 B82464G2222M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:- 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):- 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1,250 B82464G2202M 功能描述:2μH Shielded Wirewound Inductor 4.5A 14 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2μH 容差:±20% 额定电流:4.5A 电流 - 饱和值:5.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):14 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1,250 B82464G2821M B82464G4102M B82464G4103M B82464G4104M B82464G4105M B82464G4152M B82464G4153M B82464G4154M B82464G4222M B82464G4223M B82464G4224M B82464G4273M B82464G4273M000 B82464G4332M B82464G4333M B82464G4334M B82464G4472M B82464G4473M
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