BAR8602LRHE6327XT

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BAR8602LRHE6327XT 技术参数

BAR81WH6327XTSA1 功能描述:RF Diode Standard - Single 30V 100mA 100mW PG-SOT343-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.9pF @ 3V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1 欧姆 @ 5mA，100MHz 功率耗散（最大值）:100mW 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:PG-SOT343-4 标准包装:1 BAR81WE6327BTSA1 功能描述:RF Diode Standard - Single 30V 100mA 100mW PG-SOT343-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.9pF @ 3V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1 欧姆 @ 5mA，100MHz 功率耗散（最大值）:100mW 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:PG-SOT343-4 标准包装:1 BAR74E6327HTSA1 功能描述:Diode Standard 50V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:上次购买时间二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 BAR6704E6327HTSA1 功能描述:RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 200mA 250mW PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:PIN - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:150V 电流 - 最大值:200mA 不同?Vr，F 时的电容:0.55pF @ 5V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BAR6702VH6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 150V 200mA 250mW PG-SC79-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:150V 电流 - 最大值:200mA 不同?Vr，F 时的电容:0.55pF @ 5V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:PG-SC79-2 标准包装:3,000 BAR-J-22 BARO-A-4V-REF-PRIME BAS 125-06W E6327 BAS 16 B5003 BAS 16-02V E6327 BAS 16-02W E6327 BAS 16-07L4 E6327 BAS 3005A-02V E6327 BAS 3005A-02V H6327 BAS 3005B-02V E6327 BAS 3005B-02V H6327 BAS 3007A-RPP E6327 BAS 3010S-02LRH E6327 BAS 3020B E6327 BAS 40 B5003 BAS 40 E6327 BAS 4002A RPP E6327 BAS 40-04 B5003