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BAR90-02LRHE63

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
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BAR90-02LRHE63 技术参数
  • BAR9002ELSE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW PG-TSSLP-2-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大值):80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSSLP-2-3 标准包装:15,000 BAR9002ELE6327XTMA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW TSLP-2-19 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大值):80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:2-XDFN 供应商器件封装:TSLP-2-19 标准包装:1 BAR8902LRHE6433XTMA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW PG-TSLP-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大值):80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:PG-TSLP-2 标准包装:50,000 BAR8902LRHE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW PG-TSLP-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not For New Designs 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大值):80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:PG-TSLP-2 标准包装:15,000 BAR8802VH6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW PG-SC79-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not For New Designs 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大值):80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:0.4pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:600 毫欧 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:PG-SC79-2 标准包装:1 BAS 16-07L4 E6327 BAS 3005A-02V E6327 BAS 3005A-02V H6327 BAS 3005B-02V E6327 BAS 3005B-02V H6327 BAS 3007A-RPP E6327 BAS 3010S-02LRH E6327 BAS 3020B E6327 BAS 40 B5003 BAS 40 E6327 BAS 4002A RPP E6327 BAS 40-04 B5003 BAS 40-04 E6327 BAS 40-05 B5003 BAS 40-05 E6327 BAS 40-06 B5003 BAS 40-07 B6327 BAS 52-02V E6327
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