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BAS21_S00Z

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  • 功能描述
  • 整流器 Gen Purpose Diode High Voltage
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
BAS21_S00Z 技术参数
  • BAS21_ND87Z 功能描述:Diode Standard 250V 200mA Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):250V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:10,000 BAS21_D87Z 功能描述:Diode Standard 250V 200mA Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):250V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:10,000 BAS21/8VL 功能描述:DIODE GP 250V 200MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):250V 电流 - 平均整流(Io):200mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:10,000 BAS21/8R 功能描述:DIODE GP 250V 200MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):250V 电流 - 平均整流(Io):200mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:3,000 BAS21,235 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 BAS21AVD,135 BAS21AVD,165 BAS21AW,115 BAS21C RFG BAS21C-TP BAS21DW5T1 BAS21DW5T1G BAS21DW-7 BAS21DWA-7 BAS21DWAQ-7 BAS21-E3-08 BAS21-E3-18 BAS21E6327HTSA1 BAS21E6359HTMA1 BAS21E6433HTMA1 BAS21-G3-08 BAS21-G3-18 BAS21GWJ
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