BC847BLT1-ON

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BC847BLT1-ON
深圳市一线半导体有限公司
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BC847BLT1-ON 技术参数

BC847BLT1G 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BC847BLT1 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10 BC847BLP-7B 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-UFDFN 供应商器件封装:3-DFN1006（1.0x0.6）标准包装:1 BC847BLP-7 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-UFDFN 供应商器件封装:3-DFN1006（1.0x0.6）标准包装:1 BC847BLP4-7B 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006H4-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:X2-DFN1006-3 标准包装:1 BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T3G BC847BPDXV6T1 BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T5G BC847BPN,115 BC847BPN,125 BC847BPN,135 BC847BPN,165 BC847BPN/DG/B2,115 BC847BQAZ BC847BS BC847BS,115 BC847BS,135 BC847BS/DG/B2,115 BC847BS-7-F BC847BS-TP BC847BT TR