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BC850BW RFG

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BC850BW RFG PDF下载

功能描述
TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 200A
制造商
taiwan semiconductor corporation
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
45V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
200 @ 2mA，5V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70，SOT-323
供应商器件封装
SOT-323
标准包装
3,000

BC850BW RFG 技术参数

BC850BMTF 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:310mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BC850BLT1G 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:225mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BC850BLT1 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:225mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:3,000 BC850BE6327HTSA1 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:330mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BC850B,235 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:10,000 BC850CLT1G BC850CMTF BC850CW RFG BC850CW,115 BC850CW,135 BC850CW/ZLF BC850CW/ZLX BC850CWE6327HTSA1 BC850CWH6327XTSA1 BC856,215 BC856A RFG BC856A,215 BC856A-7-F BC856A-HF BC856ALT1 BC856ALT1G BC856ALT3 BC856ALT3G