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BC858CE6327 超小型管

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BC858CE6327 超小型管技术参数

BC858CDXV6T5G 功能描述:TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:2 PNP（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:8,000 BC858CDXV6T5 功能描述:TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:2 PNP（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:8,000 BC858CDXV6T1G 功能描述:TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:2 PNP（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 BC858CDW1T1G 功能描述:TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:2 PNP（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:380mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标准包装:3,000 BC858CDW1T1 功能描述:TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:2 PNP（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:380mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标准包装:3,000 BC858CW-G BC858CWH6327XTSA1 BC858W,115 BC858W,135 BC859AMTF BC859B,215 BC859BLT1 BC859BLT1G BC859BLT3G BC859BMTF BC859BW,115 BC859BW,135 BC859C,215 BC859C,235 BC859CE6327HTSA1 BC859CLT1 BC859CLT1G BC859CMTF