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BCR 114F E6327

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
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  • 1
BCR 114F E6327 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10,000
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)
  • 47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
  • 47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
  • 70 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
  • 300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)
  • -
  • 频率 - 转换
  • 100MHz
  • 功率 - 最大
  • 250mW
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装
  • PG-SOT323-3
  • 包装
  • 带卷 (TR)
  • 其它名称
  • SP000756242
BCR 114F E6327 技术参数
  • BCR 112T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:140MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 112L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:140MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 112F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:140MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标准包装:3,000 BCR 108T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 108L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 119L3 E6327 BCR 119T E6327 BCR 129F E6327 BCR 129L3 E6327 BCR 129T E6327 BCR 133 B6327 BCR 133F B6327 BCR 133F E6327 BCR 133L3 E6327 BCR 133S H6444 BCR 133T E6327 BCR 135 B6327 BCR 135F E6327 BCR 135L3 E6327 BCR 135T E6327 BCR 139F E6327 BCR 139L3 E6327 BCR 139T E6327
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