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BCR 142F E6327

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
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  • 1
BCR 142F E6327 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10,000
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)
  • 47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
  • 47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
  • 70 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
  • 300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)
  • -
  • 频率 - 转换
  • 100MHz
  • 功率 - 最大
  • 250mW
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装
  • PG-SOT323-3
  • 包装
  • 带卷 (TR)
  • 其它名称
  • SP000756242
BCR 142F E6327 技术参数
  • BCR 141T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 141S H6727 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCR 141S E6727 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCR 141L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 141F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标准包装:3,000 BCR 148S H6827 BCR 148T E6327 BCR 148W H6433 BCR 149F E6327 BCR 149L3 E6327 BCR 149T E6327 BCR 151F E6327 BCR 151L3 E6327 BCR 151T E6327 BCR 153F E6327 BCR 153L3 E6327 BCR 153T E6327 BCR 158 B6327 BCR 158F E6327 BCR 158L3 E6327 BCR 158T E6327 BCR 162 B6327 BCR 162F E6327
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