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BCR 158F E6327

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
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  • 1
BCR 158F E6327 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • TRANSISTOR PNP DGTL AF TSFP-3
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10,000
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)
  • 47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
  • 47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
  • 70 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
  • 300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)
  • -
  • 频率 - 转换
  • 100MHz
  • 功率 - 最大
  • 250mW
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装
  • PG-SOT323-3
  • 包装
  • 带卷 (TR)
  • 其它名称
  • SP000756242
BCR 158F E6327 技术参数
  • BCR 158 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:30,000 BCR 153T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):2.2k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 20mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 153L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):2.2k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 20mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 153F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):2.2k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 20mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标准包装:3,000 BCR 151T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):100k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):100k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:120MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 166F E6327 BCR 166L3 E6327 BCR 166T E6327 BCR 169F E6327 BCR 169L3 E6327 BCR 169T E6327 BCR 179F E6327 BCR 179L3 E6327 BCR 179T E6327 BCR 183 B6327 BCR 183F E6327 BCR 183L3 E6327 BCR 183T E6327 BCR 185F E6327 BCR 185L3 E6327 BCR 185T E6327 BCR 189F E6327 BCR 189L3 E6327
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