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BCR 192T E6327

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
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  • 操作
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  • 1
BCR 192T E6327 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • TRANSISTOR PNP DGTL AF SC-75
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10,000
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)
  • 47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
  • 47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
  • 70 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
  • 300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)
  • -
  • 频率 - 转换
  • 100MHz
  • 功率 - 最大
  • 250mW
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装
  • PG-SOT323-3
  • 包装
  • 带卷 (TR)
  • 其它名称
  • SP000756242
BCR 192T E6327 技术参数
  • BCR 192L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 192F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标准包装:3,000 BCR 192 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:30,000 BCR 191T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 191L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 22PN H6727 BCR 401R E6327 BCR 402R E6327 BCR 402U E6433 BCR 48PN H6727 BCR 503 B6327 BCR 512 B6327 BCR 519 E6327 BCR 569 E6327 BCR08AM-12A#B00 BCR08AM-12A-TB#B00 BCR08AM-14A#B00 BCR08AM-14A#FD0 BCR08AM-14A-A6#B00 BCR08AS-12AT14#B11 BCR08DS-14AT13#B10 BCR08DS-14AT13#BD0 BCR08ES-14A#B10
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