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BCR 198W E6327

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功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶体管极性
NPN/PNP
典型输入电阻器
典型电阻器比率
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作频率
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
150 mA
峰值直流集电极电流
功率耗散
200 mW
最大工作温度
封装
Reel

BCR 198W E6327 技术参数

BCR 198T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:190MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 198L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:190MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 198F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:190MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标准包装:3,000 BCR 196T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 196L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 512 B6327 BCR 519 E6327 BCR 569 E6327 BCR08AM-12A#B00 BCR08AM-12A-TB#B00 BCR08AM-14A#B00 BCR08AM-14A#FD0 BCR08AM-14A-A6#B00 BCR08AS-12AT14#B11 BCR08DS-14AT13#B10 BCR08DS-14AT13#BD0 BCR08ES-14A#B10 BCR08PNB6327XT BCR08PNE6327BTSA1 BCR08PNE6433HTMA1 BCR08PNH6327XTSA1 BCR08PNH6433XTMA1 BCR08PNH6727XTSA1