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BFR 340L3 E6327

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 厂商
  • 封装
  • 批号
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  • 操作
  • BFR 340L3 E6327
    BFR 340L3 E6327

    BFR 340L3 E6327

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 68675

  • INFINEON

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • BFR 340L3 E6327
    BFR 340L3 E6327

    BFR 340L3 E6327

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • Infineon(英飞凌)

  • TSLP-3

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
BFR 340L3 E6327 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
  • RoHS
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶体管极性
  • NPN
  • 最大工作频率
  • 7000 MHz
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 15 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • 2 V
  • 集电极连续电流
  • 0.15 A
  • 功率耗散
  • 1000 mW
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 封装 / 箱体
  • SOT-223
  • 封装
  • Reel
BFR 340L3 E6327 技术参数
  • BFR 193W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BFR 193L3 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12.5dB ~ 19dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:1 BFR 193 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10dB ~ 15dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BFR 183W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):65mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BFR 183T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19.5dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 15mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):65mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327 BFR 949L3 E6327 BFR 949T E6327 BFR.3K.100.NAS BFR106,215 BFR106E6327HTSA1 BFR10SL3P1 BFR10SL3S1 BFR10SL4P1 BFR10SL4S1 BFR12S3P1 BFR12SA10P1
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