BS2540-7R

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封装
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价格
说明
操作

BS2540-7R
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Bel Power Solutions
原厂封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

BS2540-7R
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
Bel Power Solutions
原厂封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

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功能描述
EURO-CASSETTE 100W 2X 15V
RoHS
否
类别
电源 - 外部/内部（非板载） >> DC DC Converters
系列
*
标准包装
1
系列
Quint
类型
隔离
输入电压
24V
输出
24V
输出数
1
输出 - 1 @ 电流（最大）
24 VDC @ 50A
输出 - 2 @ 电流（最大）
-
输出 - 3 @ 电流（最大）
-
输出 - 4 @ 电流（最大）
-
功率（瓦特）
1200W
安装类型
底座安装
工作温度
0°C ~ 40°C
效率
-
封装/外壳
模块
尺寸/尺寸
4.33" L x 9.09" W x 6.14" H（110mm x 231mm x 156mm）
包装
散装
电源（瓦特）- 最大
1200W
批准
-
其它名称
277-69722866365-NDQUINT-BAT/24DC/12AH

BS2540-7R 技术参数

BS250PSTZ 功能描述:MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:E-Line-3 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）标准包装:2,000 BS250PSTOB 功能描述:MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:E-Line-3 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）标准包装:2,000 BS250P 功能描述:MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:4,000 BS250KL-TR1-E3 功能描述:MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM 制造商:vishay siliconix 系列:TrenchFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:270mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-18RM 标准包装:1 BS250FTC 功能描述:MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:25pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BS2I BS2-IC BS2I-HD BS2I-IC BS2I-MC BS2LA BS2P24 BS2P40 BS2PE BS2P-SHF-1AA(LF)(SN) BS2PX24 BS2RC24 BS2SX-IC BS2T-HD BS2XC24 BS-3 BS-300.000MBB-T BS-300.000MBC-T