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BS90LV032

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BS90LV032 技术参数
  • BS8P-SHF-1AA(LF)(SN) 功能描述:8 位 接头,无罩 连接器 0.098"(2.50mm) 通孔,直角 锡 制造商:jst sales america inc. 系列:NH 包装:散装 零件状态:有效 触头类型:公形引脚 连接器类型:接头,无罩 针脚数:8 加载的针脚数:全部 间距:0.098"(2.50mm) 排数:1 排距:- 触头配接长度:0.217"(5.50mm) 安装类型:通孔,直角 端接:焊接 紧固类型:摩擦锁 特性:- 触头镀层:锡 触头镀层厚度:- 颜色:自然色 标准包装:500 BS8I-MC 功能描述:BATTERY SNAP 9V 8" LEADS 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:* 零件状态:在售 标准包装:500 BS870-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):250mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 200mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BS870-7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):250mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 200mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BS-87.500MCC-T 功能描述:87.5MHz LVPECL SO (SAW) Oscillator Surface Mount 2.5V 80mA Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:BS 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 类型:SO(SAW) 频率:87.5MHz 功能:启用/禁用 输出:LVPECL 电压 - 电源:2.5V 频率稳定度:±100ppm 工作温度:-10°C ~ 70°C 电流 - 电源(最大值):80mA 等级:- 安装类型:表面贴装 大小/尺寸:0.276" 长 x 0.197" 宽(7.00mm x 5.00mm) 高度:0.071"(1.80mm) 封装/外壳:6-SMD,无引线(DFN,LCC) 电流 - 电源(禁用)(最大值):- 标准包装:1,000 BSB012NE2LXIXUMA1 BSB013NE2LXI BSB013NE2LXIXUMA1 BSB014N04LX3 G BSB014N04LX3GXUMA1 BSB01503HA3-00CGE BSB015N04NX3 G BSB015N04NX3GXUMA1 BSB01703HA3-00CAJ BSB017N03LX3 G BSB019N03LX G BSB0203HA3-00CER BSB024N03LX G BSB028N06NN3 G BSB028N06NN3GXUMA1 BSB044N08NN3 G BSB044N08NN3GXUMA1 BSB053N03LP G
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