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BSB01503HA3-00CGE

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功能描述
15X15X3MM 3V DC FAN, W/SPEED SEN
制造商
delta electronics
系列
-
零件状态
在售
电压 - 额定
3VDC
大小/尺寸
方形 - 15mm 长 x 15mm 高
宽度
3.50mm
气流
0.170 CFM（0.005m3/min）
静压力
0.154 英寸水柱（38.4 Pa）
轴承类型
套管
风扇类型
鼓风机
特性
转子锁定保护，速度传感器（转速表）
噪声
30.0 dB（A）
功率（W）
150mW
RPM
13800 RPM
端接
3 位置矩形连接器
侵入防护
-
工作温度
14 ~ 140°F （-10 ~ 60°C）
认可
-
重量
0.003 磅（1.36g）
额定电流
0.050A
电压范围
2 ~ 3.5VDC
材料 - 框架
塑料
材料 - 刀片
塑料
不同温度时的使用寿命
40°C 时为 30000 小时
标准包装
195

BSB01503HA3-00CGE 技术参数

BSB014N04LX3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:196nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:16900pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），89W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封装/外壳:3-WDSON 标准包装:1 BSB014N04LX3 G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta），180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:196nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16900pF @ 20V 功率 - 最大值:89W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSB013NE2LXIXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta），163A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:62nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4400pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），57W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封装/外壳:3-WDSON 标准包装:1 BSB013NE2LXI 功能描述:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta），163A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4400pF @ 12V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSB012NE2LXIXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 170A WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5852pF @ 12V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:5,000 BSB044N08NN3 G BSB044N08NN3GXUMA1 BSB053N03LP G BSB056N10NN3GXUMA1 BSB104N08NP3GXUSA1 BSB1270002 BSB1270003 BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 BSC009NE2LS BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSTATMA1 BSC010NE2LS