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BSC014N04LSTATMA1

配单专家企业名单
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  • BSC014N04LSTATMA1
    BSC014N04LSTATMA1

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    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:陈先生13360533550

    电话:0755-838679890755-82795565

    地址:深圳公司:深圳市福田区华富路航都大厦11F

    资质:营业执照

  • 36320

  • INFINEON/英飞凌

  • PG-TDSON-8

  • 22+

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  • 原厂原装现货

  • BSC014N04LSTATMA1
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:中国上海

  • 3

  • INFINEON

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  • 23+

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  • BSC014N04LSTATMA1
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质:营业执照

  • 150

  • INFINEON

  • NA

  • 23+

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  • 现货!就到京北通宇商城

  • BSC014N04LSTATMA1
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

  • 3

  • INFINEON

  • con

  • 23+

  • -
  • 现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

  • BSC014N04LSTATMA1
    BSC014N04LSTATMA1

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 15

  • INFINEON

  • NA

  • 23+

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  • 功率MOSFET

  • BSC014N04LSTATMA1
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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 3000

  • 英飞凌

  • QFP

  • 20+

  • -
  • 原装现货

  • BSC014N04LSTATMA1
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  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 23500

  • INFINEON

  • TDSON-8

  • 2022+

  • -
  • 十年芯途,只做原装,实单可以支持。075...

  • BSC014N04LSTATMA1
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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室

    资质:营业执照

  • 2688

  • Infineon Technologies

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 授权分销商,可追溯原厂可含税

  • BSC014N04LSTATMA1
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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:廖R

    电话:13163738578

    地址:龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707

  • 3

  • INFINEON

  • C72-晶体管

  • -
  • BSC014N04LSTATMA1
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  • 深圳市盛芯世纪科技有限公司
    深圳市盛芯世纪科技有限公司

    联系人:杨先生,www.dz-ic.cn

    电话:0755-8397991513312996395

    地址:深圳市福田区中航路都会100大厦B座6F

    资质:营业执照

  • 3

  • INFINEON

  • INFINEON

  • 21+

  • -
  • 原装正品www.dz-ic.cn

  • BSC014N04LSTATMA1
    BSC014N04LSTATMA1

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  • 深圳市十德盛科技有限公司
    深圳市十德盛科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8271907113336545634

    地址:深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09

    资质:营业执照

  • 12595

  • Infineon(英飞凌)

  • 22+

  • -
  • 全新原装现货

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  • 功能描述
  • DIFFERENTIATED MOSFETS
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
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  • 零件状态
  • 在售
  • 标准包装
  • 5,000
BSC014N04LSTATMA1 技术参数
  • BSC014N04LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):31A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.45 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4000pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 FL(5x6) 标准包装:1 BSC014N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Ta),100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4300pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),96W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SuperSO8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC014N04LS 功能描述:MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):61nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4300pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:SuperSO8 标准包装:1 BSC014N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Ta),100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):173nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):13000pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),139W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 30A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC014N03MS G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):173nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13000pF @ 15V 功率 - 最大值:139W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC016N04LSGATMA1 BSC016N06NS BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSTATMA1 BSC017N04NS G BSC017N04NSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSI BSC018NE2LSIATMA1 BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N04LSATMA1 BSC019N04NSGATMA1 BSC020N025S G BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 BSC022N03S BSC022N03SG
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