BSC027N06LS5ATMA1全国供应商 BSC027N06LS5ATMA1资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSC027N06LS5ATMA1
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
INFINEON
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

BSC027N06LS5ATMA1
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
28100
INFINEON
SMD
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

BSC027N06LS5ATMA1
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
10000
INfineon
TDSON-8
23+
-
原厂原装正品现货

BSC027N06LS5ATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
INFINEON
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

BSC027N06LS5ATMA1
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
INFINEON
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

BSC027N06LS5ATMA1
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
17773
INFINEON
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

BSC027N06LS5ATMA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
英飞凌
TO-3P
22+
-
原装现货

BSC027N06LS5ATMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSC027N06LS5ATMA1
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
60000
INFINEON/英飞凌
TDSON-8
2020+
-
只做原厂原装假一赔十长期供应可排单

BSC027N06LS5ATMA1
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-83795896
地址：深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
68000
INFINEON
N/A最新
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

BSC027N06LS5ATMA1
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
13+
324
QFN
-
进口原装现货支持实单价优

BSC027N06LS5ATMA1
深圳市华思半导体技术有限公司
深圳市华思半导体技术有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-8329998313662227781
地址：华强北路华强广场B座27K
资质：营业执照
18000
INFINEON/英飞凌
原厂封装
23+
-
全新原装现货，特价支持

BSC027N06LS5ATMA1
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
12472
Infineon(英飞凌)
22+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
制造商
infineon technologies
系列
OptiMOS??
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 49μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
30nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4400pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
2.7 毫欧 @ 50A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-TDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
标准包装
5,000

BSC027N06LS5ATMA1 技术参数

BSC027N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 49μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:85nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 20V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC027N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:51nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6540pF @ 15V 功率 - 最大值:89W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC026NE2LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Ta），82A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC026N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 115μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC026N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC030P03NS3 G BSC030P03NS3GAUMA1 BSC031N06NS3GATMA1 BSC032N03S BSC032N03SG BSC032N04LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 BSC034N03LSGATMA1 BSC034N06NSATMA1 BSC035N04LSGATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 BSC037N025S G BSC037N08NS5ATMA1 BSC039N06NS BSC039N06NSATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1

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