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BSC027N06LS5ATMA1

配单专家企业名单
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  • BSC027N06LS5ATMA1
    BSC027N06LS5ATMA1

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 10000

  • INF

  • SMD

  • 24+

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  • 全新正品现货供应特价库存

  • BSC027N06LS5ATMA1
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:中国上海

  • 328916

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • 优势库存,原装正品

  • BSC027N06LS5ATMA1
    BSC027N06LS5ATMA1

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  • 广东济德精密电子有限公司
    广东济德精密电子有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼

  • 100

  • INFINEON

  • NA

  • 25+

  • -
  • 现货!就到京北通宇商城

  • BSC027N06LS5ATMA1
    BSC027N06LS5ATMA1

    BSC027N06LS5ATMA1

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 328916

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • BSC027N06LS5ATMA1
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    BSC027N06LS5ATMA1

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 0

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • 场效应管

  • BSC027N06LS5ATMA1
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    BSC027N06LS5ATMA1

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 328916

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • BSC027N06LS5ATMA1
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 328916

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  • 24+

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  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • BSC027N06LS5ATMA1
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

  • 328916

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  • con

  • 24+

  • -
  • 优势库存,原装正品

  • BSC027N06LS5ATMA1
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • BSC027N06LS5ATMA1
    BSC027N06LS5ATMA1

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  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 15000

  • INFINEON

  • 价格优势

  • 2429

  • -
  • 全新原装渠道现货

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.3V @ 49μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 30nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 4400pF @ 30V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 83W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 2.7 毫欧 @ 50A,10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • PG-TDSON-8
  • 封装/外壳
  • 8-PowerTDFN
  • 标准包装
  • 5,000
BSC027N06LS5ATMA1 技术参数
  • BSC027N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 49μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):85nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6800pF @ 20V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC027N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):51nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6540pF @ 15V 功率 - 最大值:89W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC026NE2LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Ta),82A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1100pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC026N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 115μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6800pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC026N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC030P03NS3 G BSC030P03NS3GAUMA1 BSC031N06NS3GATMA1 BSC032N03S BSC032N03SG BSC032N04LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 BSC034N03LSGATMA1 BSC034N06NSATMA1 BSC035N04LSGATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 BSC037N025S G BSC037N08NS5ATMA1 BSC039N06NS BSC039N06NSATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1
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