BSC026NE2LS5ATMA1全国供应商 BSC026NE2LS5ATMA1资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

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说明
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BSC026NE2LS5ATMA1
现货
上海航霆电子技术有限公司
上海航霆电子技术有限公司
联系人：林生18701789587
电话：0755-8374259418701789587
地址：上海徐汇区漕溪路222号航天大厦16层
5000
Infineon
SOP
23+
-
原装正品可开增票

BSC026NE2LS5ATMA1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

BSC026NE2LS5ATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
328709
INFINEON
con
24+
-
优势库存，原装正品

BSC026NE2LS5ATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
2391
INFINEON
con
24+
-
场效应管

BSC026NE2LS5ATMA1
广东济德精密电子有限公司
广东济德精密电子有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼
2766
INFINEON
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

BSC026NE2LS5ATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
328709
INFINEON
con
24+
-

BSC026NE2LS5ATMA1
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
2391
INFINEON
con
24+
-
场效应管

BSC026NE2LS5ATMA1
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
328709
INFINEON
con
24+
-

BSC026NE2LS5ATMA1
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
1500
TI
new and original
23+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

BSC026NE2LS5ATMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSC026NE2LS5ATMA1
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
328709
INFINEON
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

BSC026NE2LS5ATMA1
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
328709
INFINEON
con
24+
-
优势库存，原装正品

BSC026NE2LS5ATMA1
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
5000
INF
ORIGONAL
16+
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功能描述
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
制造商
infineon technologies
系列
OptiMOS??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
24A（Ta），82A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
2.6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1100pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
*
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PG-TDSON-8
标准包装
1

BSC026NE2LS5ATMA1 技术参数

BSC026N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 115μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC026N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC026N02KSGAUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 200μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:52.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7800pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），78W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 50A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC026N02KS G 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 50A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 200μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:52.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7800pF @ 10V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC025N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta）. 100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7600pF @ 15V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC030N03MSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 BSC030P03NS3 G BSC030P03NS3GAUMA1 BSC031N06NS3GATMA1 BSC032N03S BSC032N03SG BSC032N04LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 BSC034N03LSGATMA1 BSC034N06NSATMA1 BSC035N04LSGATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 BSC037N025S G BSC037N08NS5ATMA1 BSC039N06NS

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