BSB104N08NP3 G

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BSB104N08NP3 G
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30
69880
INFINEON/英飞凌
WDSON-2
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSB104N08NP3 G
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
2500
INFINEO
WDSON-2
22+
-
公司原装现货，可订货，有单来谈QQ：16...

BSB104N08NP3 G
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Infineon(英飞凌)
MG-WDSON-2
刚到货
-
代理可含税开票

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1

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BSB104N08NP3 G 技术参数

BSB056N10NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），83A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.6 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5500pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSB053N03LP G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），71A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.3 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:42W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:5,000 BSB044N08NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 97μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:73nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5700pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），78W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封装/外壳:3-WDSON 标准包装:1 BSB044N08NN3 G 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），90A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 97μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:73nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5700pF @ 40V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSB028N06NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 102μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:143nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），78W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封装/外壳:3-WDSON 标准包装:1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSTATMA1 BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1 BSC011N03LS BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSI BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSTATMA1 BSC014N03LS G BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03MS G BSC014N03MSGATMA1 BSC014N04LS