BSB12SA

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " BSB12SA " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 BSC009NE2LS BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSIATMA1

BSB12SA PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSB12SA 技术参数

BSB1270003 功能描述:212.5MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:BS 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:XO（标准）频率:212.5MHz 功能:启用/禁用输出:LVPECL 电压 - 电源:3.3V 频率稳定度:±100ppm 工作温度:-5°C ~ 85°C 电流 - 电源（最大值）:- 等级:- 安装类型:表面贴装大小/尺寸:0.276" 长 x 0.197" 宽（7.00mm x 5.00mm）高度:0.071"（1.80mm）封装/外壳:6-SMD，无引线（DFN，LCC）电流 - 电源（禁用）（最大值）:* 标准包装:1,000 BSB1270002 功能描述:212.5MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:BS 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:XO（标准）频率:212.5MHz 功能:启用/禁用输出:LVPECL 电压 - 电源:3.3V 频率稳定度:±100ppm 工作温度:0°C ~ 70°C 电流 - 电源（最大值）:- 等级:- 安装类型:表面贴装大小/尺寸:0.276" 长 x 0.197" 宽（7.00mm x 5.00mm）高度:0.071"（1.80mm）封装/外壳:6-SMD，无引线（DFN，LCC）电流 - 电源（禁用）（最大值）:* 标准包装:1,000 BSB104N08NP3GXUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2100pF @ 40V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:5,000 BSB056N10NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），83A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.6 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5500pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSB053N03LP G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），71A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.3 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:42W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:5,000 BSC010N04LSTATMA1 BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1 BSC011N03LS BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSI BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSTATMA1 BSC014N03LS G BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03MS G BSC014N03MSGATMA1 BSC014N04LS BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSTATMA1