配单专家企业名单

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说明
操作

BSC004NE2LS5
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
12100
INFINEON
TDSON-8
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

BSC004NE2LS5
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
100
isc,iscsemi
DFN5×6
2024+
-
国产品牌，可替代原装

BSC004NE2LS5
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8
刚到货
-
代理可含税开票

BSC004NE2LS5
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王女士
电话：13969210552
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
5000
INFINEON
NA
近两年
-
查货可到京北通宇商城www.jbchip...

BSC004NE2LS5
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
20000
INFINEON
SOP-8
23+
-
原厂原装正品现货

BSC004NE2LS5ATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
0
INFINEON
NA
23+
-
功率MOSFET

BSC004NE2LS5ATMA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
英飞凌
TO-3P
22+
-
原装现货

BSC004NE2LS5
深圳市畅洲科技有限公司
深圳市畅洲科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：156024408160755-82762262
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区深南中路3018号都会轩2506
资质：营业执照
10000
INFINEON/英飞凌
TDSON-8
22+
-
全新原装正品

BSC004NE2LS5
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
2025+
8000
QFN
-
进口原装现货支持实单价优

BSC004NE2LS5
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
13286
Infineon(英飞凌)
22+
-
全新原装现货

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BSC004NE2LS5 技术参数

BSB280N15NZ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 60μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 75V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSB165N15NZ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2800pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），78W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16.5 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封装/外壳:3-WDSON 标准包装:1 BSB165N15NZ3 G 功能描述:MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），45A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2800pF @ 75V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSB1270003 功能描述:212.5MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:BS 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:XO（标准）频率:212.5MHz 功能:启用/禁用输出:LVPECL 电压 - 电源:3.3V 频率稳定度:±100ppm 工作温度:-5°C ~ 85°C 电流 - 电源（最大值）:- 等级:- 安装类型:表面贴装大小/尺寸:0.276" 长 x 0.197" 宽（7.00mm x 5.00mm）高度:0.071"（1.80mm）封装/外壳:6-SMD，无引线（DFN，LCC）电流 - 电源（禁用）（最大值）:* 标准包装:1,000 BSB1270002 功能描述:212.5MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:BS 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:XO（标准）频率:212.5MHz 功能:启用/禁用输出:LVPECL 电压 - 电源:3.3V 频率稳定度:±100ppm 工作温度:0°C ~ 70°C 电流 - 电源（最大值）:- 等级:- 安装类型:表面贴装大小/尺寸:0.276" 长 x 0.197" 宽（7.00mm x 5.00mm）高度:0.071"（1.80mm）封装/外壳:6-SMD，无引线（DFN，LCC）电流 - 电源（禁用）（最大值）:* 标准包装:1,000 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1 BSC011N03LS BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSI BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSTATMA1 BSC014N03LS G BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03MS G BSC014N03MSGATMA1 BSC014N04LS BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSTATMA1 BSC014N06NS BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSTATMA1

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