BSC010NE2LS MOS(场效应管)

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说明
操作

BSC010NE2LS MOS(场效应管)
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
86800
INFINEON/英飞凌
TDSON8
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

BSC010NE2LS MOS(场效应管)
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
14276
INFINEON/英飞凌
SuperSO8
22+
-

BSC010NE2LS MOS(场效应管)
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
84000
INFINEON/英飞凌
DFN5X6
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

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BSC010NE2LS MOS(场效应管) 技术参数

BSC010NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4700pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC010N04LSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:在售标准包装:5,000 BSC010N04LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.05 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:87nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6200pF @ 20V FET 功能:Schottky Diode (Body) 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 FL 标准包装:1 BSC010N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 mOhm @ 50A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 FL（5x6）标准包装:1 BSC009NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:41A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:126nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5800pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），96W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.9 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03MS G BSC014N03MSGATMA1 BSC014N04LS BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSTATMA1 BSC014N06NS BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSTATMA1 BSC014NE2LSI BSC014NE2LSIATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 BSC016N04LS G BSC016N04LSGATMA1 BSC016N06NS