BSC19N02KSG

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说明
操作

BSC19N02KSG
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
120000
INFINEON/英飞凌
QFN-8
22+
-
原厂原装现货

BSC19N02KSG
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
5002
INFINEON
QFN-8
23+
-
原厂原装正品现货

BSC19N02KSG
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
2500
INFINEO
QFN-8
22+
-
公司原装现货，可订货，有单来谈QQ：16...

BSC19N02KSG
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3304
INFINEON
QFN-8
2208+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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BSC19N02KSG 技术参数

BSC196N10NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A（Ta），45A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19.6 毫欧 @ 45A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 42μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC190N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2420pF @ 75V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC190N12NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.6A（Ta），44A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 42μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 60V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC16DN25NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 32μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:165 毫欧 @ 5.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC16DN25NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:165 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 32μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03MSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1