您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > B字母型号搜索 >

BSC20N025S

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1/1页 40条/页 共11条 
  • 1
BSC20N025S PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
BSC20N025S 技术参数
  • BSC205N10LS G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.4A(Ta),45A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20.5 毫欧 @ 45A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 43μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):41nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2900pF @ 50V 功率 - 最大值:76W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC200P03LSGAUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.9A(Ta),12.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 12.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2430pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC196N10NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta),45A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19.6 毫欧 @ 45A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 42μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC190N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2420pF @ 75V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC190N12NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):120V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.6A(Ta),44A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 39A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 42μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 60V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03MSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03MSGATMA1 BSC900N20NS3 G
配单专家

在采购BSC20N025S进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买BSC20N025S产品风险,建议您在购买BSC20N025S相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的BSC20N025S信息由会员自行提供,BSC20N025S内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号