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BSL-8

配单专家企业名单
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  • BSL-800IOV2L
    BSL-800IOV2L

    BSL-800IOV2L

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

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  • BYD(比亚迪)

  • 22+

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  • 原装正品

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BSL-8 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 扬声器连接器 COLORED BOOT NL4FC GREY
  • RoHS
  • 制造商
  • Neutrik
  • 标准
  • Speakon, HPC
  • 型式
  • Male
  • 位置/触点数量
  • 2
  • 端接类型
  • 安装风格
  • PCB
  • 方向
  • Vertical
  • 触点电镀
  • 颜色
  • 触点材料
  • 电压额定值
  • 电流额定值
BSL-8 技术参数
  • BSL716SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 218μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):315pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:3,000 BSL606SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,OptiMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 15μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL373SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):230 毫欧 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 218μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):265pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP-6-1 标准包装:3,000 BSL372SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):220 毫欧 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 218μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):329pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:3,000 BSL316CL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A,1.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 1.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSM120D12P2C005 BSM150GB60DLCHOSA1 BSM150GD60DLC BSM180D12P2C101 BSM180D12P3C007 BSM1-C BSM1-X BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1
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