BSM200GB60DLCHOSA1

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BSM200GB60DLCHOSA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
5888
Infineon
NA
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

BSM200GB60DLCHOSA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
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-
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BSM200GB60DLCHOSA1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
10
INFINEON
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功能描述
IGBT MODULE 600V 230A
制造商
infineon technologies
系列
-
零件状态
在售
IGBT 类型
-
配置
单一
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
230A
功率 - 最大值
730W
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.45V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）
500μA
不同?Vce 时的输入电容（Cies）
9nF @ 25V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
标准包装
10

BSM200GB60DLCHOSA1 技术参数

BSM200GB60DLC 功能描述:IGBT MODULE 600V 230A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM1-X 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装零件状态:过期端子类型:对接接头，直插式，单独开口进线数:2 端接:压接线规:18-20 AWG 绝缘:非绝缘特性:铜焊缝颜色:- 标准包装:10 BSM1-C 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装零件状态:过期端子类型:对接接头，直插式，单独开口进线数:2 端接:压接线规:18-20 AWG 绝缘:非绝缘特性:铜焊缝颜色:- 标准包装:100 BSM180D12P3C007 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 50mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:12 BSM180D12P2C101 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:23000pF @ 10V 功率 - 最大值:1130W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:12 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q