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BSL-B88B02

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BSL-B88B02
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8653000
BRIGHTLED
DIP
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BSL-B88B02 技术参数

BSL806NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL806NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:3,000 BSL802SNL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1347pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL802SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:0.75V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1347pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:3,000 BSL716SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 218μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:315pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:3,000 BSM180D12P3C007 BSM1-C BSM1-X BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L