BSL214NL6327XT

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BSL214NL6327XT 技术参数

BSL214NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL214NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:3,000 BSL211SPT 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:67 毫欧 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:654pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:P-TSOP6-6 标准包装:1 BSL211SPL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:67 毫欧 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:654pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL211SPH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:67 毫欧 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:654pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:P-TSOP6-6 标准包装:1 BSL306NL6327HTSA1 BSL307SP BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPL6327HTSA1 BSL307SPT BSL308CH6327XTSA1 BSL308CL6327HTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEL6327HTSA1 BSL314PEH6327XTSA1 BSL314PEL6327HTSA1 BSL315PL6327HTSA1 BSL316CH6327XTSA1 BSL316CL6327HTSA1 BSL372SNH6327XTSA1 BSL373SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 BSL716SNH6327XTSA1