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BSR802NL6327XT

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BSR802NL6327XT 技术参数
  • BSR802NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):4.7nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1447pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 3.7A,2.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-SC-59 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 BSR802N L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 3.7A,2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1447pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSR606NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,OptiMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 2.3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 15μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSR58LT1G 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 15V 350mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):8mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):800mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):60 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 功率 - 最大值:350mW 标准包装:3,000 BSR58,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):8mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):800mV @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):60 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 BSS-025-01-F-D-A-TR BSS-025-01-F-D-EM2 BSS-025-01-F-D-LC BSS-025-01-F-D-TR BSS-025-01-H-D BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR BSS-034-01-F-D-DP-EM2 BSS-034-01-H-D-DP-EM2 BSS-034-01-L-D-DP-EM2 BSS-050-01-C-D-A BSS-050-01-F-D
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