您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > B字母型号搜索 >

BSS63T/R

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BSS63T/R
    BSS63T/R

    BSS63T/R

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 20000

  • PH

  • 原厂标准封装

  • 14+

  • -
  • 全新原装,进口现货,准时交货,量大优惠

  • BSS63T/R
    BSS63T/R

    BSS63T/R

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • PHILIPS

  • 标准封装

  • 13+

  • -
  • 全新原装,现货,价优!

  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
BSS63T/R PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • 未知厂家
  • 制造商全称
  • 未知厂家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BSS63T/R 技术参数
  • BSS63LT1G 功能描述:TRANS PNP 100V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 2.5mA,25mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 25mA,1V 功率 - 最大值:225mW 频率 - 跃迁:95MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:1 BSS63,215 功能描述:TRANS PNP 100V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 2.5mA,25mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 25mA,1V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:85MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:BSS63 标准包装:1 BSS63 功能描述:TRANS PNP 100V 0.2A SOT23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 2.5mA,25mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS606NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 3.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 15μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS44 功能描述:TRANS PNP 60V 5A TO-39 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 2A,2V 功率 - 最大值:870mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:100 BSS7728N BSS7728NH6327XTSA1 BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NL6327HTSA1 BSS79C BSS806N H6327 BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 BSS806NL6327HTSA1 BSS816NW L6327 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83,215 BSS83,235 BSS83P H6327 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84
配单专家

在采购BSS63T/R进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买BSS63T/R产品风险,建议您在购买BSS63T/R相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的BSS63T/R信息由会员自行提供,BSS63T/R内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号