BSS84AK-BR

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BSS84AK-BR
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王女士
电话：13969210552
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
4500
NEXPERIA
NA
近两年
-
查货可到京北通宇商城www.jbchip...

BSS84AK-BR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
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功能描述
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
制造商
nexperia usa inc.
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
180mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
0.35nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
36pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.14W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
7.5 欧姆 @ 100mA，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装
3,000

BSS84AK-BR 技术参数

BSS84AK,215 功能描述:MOSFET P-CH 50V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），1.14W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS84-7-F 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS84-7 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS8402DWQ-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V，50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA，130mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 BSS8402DW-7-F 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V，50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA，130mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BSS84DW-7 BSS84DW-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G BSS84P E6433 BSS84P H6327 BSS84P-E6327 BSS84PH6327XTSA1 BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6433XTMA1 BSS84PL6327HTSA1 BSS84PL6433HTMA1 BSS84PW BSS84PW L6327 BSS84PWH6327XTSA1 BSS84TA BSS84TC BSS84V-7