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BSS63TA

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    BSS63TA

    BSS63TA

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT -
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
BSS63TA 技术参数
  • BSS63LT1G 功能描述:TRANS PNP 100V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 2.5mA,25mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 25mA,1V 功率 - 最大值:225mW 频率 - 跃迁:95MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:1 BSS63,215 功能描述:TRANS PNP 100V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 2.5mA,25mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 25mA,1V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:85MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:BSS63 标准包装:1 BSS63 功能描述:TRANS PNP 100V 0.2A SOT23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 2.5mA,25mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS606NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 3.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 15μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS44 功能描述:TRANS PNP 60V 5A TO-39 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 2A,2V 功率 - 最大值:870mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:100 BSS7728N BSS7728NH6327XTSA1 BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NL6327HTSA1 BSS79C BSS806N H6327 BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 BSS806NL6327HTSA1 BSS816NW L6327 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83,215 BSS83,235 BSS83P H6327 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84
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