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BSS670S2L MOS(场效应管)

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  • BSS670S2L MOS(场效应管)
    BSS670S2L MOS(场效应管)

    BSS670S2L MOS(场效应管)

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 36000

  • INFINEON/英飞凌

  • SOT-23

  • 21+原装

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  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

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BSS670S2L MOS(场效应管) 技术参数
  • BSS670S2L H6327 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):540mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):650 毫欧 @ 270mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS670S2L 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):540mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):650 毫欧 @ 270mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS64LT1G 功能描述:TRANS NPN 80V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 15mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:225mW 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:1 BSS64LT1 功能描述:TRANS NPN 80V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 15mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:225mW 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:3,000 BSS64,215 功能描述:TRANS NPN 80V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 15mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:BSS64 标准包装:1 BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 BSS806NL6327HTSA1 BSS816NW L6327 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83,215 BSS83,235 BSS83P H6327 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7
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