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BSS79CE6327

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    BSS79CE6327

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • INFINEON

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  • 假一罚十,百分百原装正品

  • BSS79CE6327
    BSS79CE6327

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • INFINEON

  • 标准封装

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS79CE6327 技术参数
  • BSS79C 功能描述:TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS7728NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS7728NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:有效 标准包装:3,000 BSS7728NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS7728N 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115
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