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BSS84V-7-F

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  • BSS84V-7-F
    BSS84V-7-F

    BSS84V-7-F

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 10000

  • DIODES

  • SOT-563

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
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BSS84V-7-F 技术参数
  • BSS84V-7 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):130mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 100mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):45pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 BSS84TC 功能描述:MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):130mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 100mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):40pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BSS84TA 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):130mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 100mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):40pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS84PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):150mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 150mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BSS84PW L6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):150mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 150mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BSS87L6327HTSA1 BS-SA7024 BST-108-08-G-D-230-RA BST110V BST-12/125-D12-C BST-12/125-D48-C BST-136-08-G-D-230-RA BST-136-08-L-D-230-RA BST-136-08-S-D-230-RA BST-136-08-T-D-230-RA BST15,115 BST-15/100-D48-C BST-15/85-D5-C BST15TA BST16,115 BST-169 BST16TA BST-225
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