配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSZ050N03MS G
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30
69880
INFINEON/英飞凌
NA
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSZ050N03MS G##QQQQQQQQ
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
5200
原装正品INFINEON
QFN
23+
-
原厂原装正品现货

BSZ050N03MS G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
TDSON8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSZ050N03MS G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
INFINEON
TDSON8
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSZ050N03MS G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
INFINEO
TDSON8
1050+
-
全新原装现货

BSZ050N03MS G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3500
Infineon
S3O8
13+
-
Infineon一级代理，价优

BSZ050N03MS G
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
INFINEON
近两年生产
DFN-8
-
每一片都来自原厂

BSZ050N03MS G
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
7600
INFINEO
QFN8
22+
-
公司原装现货，可订货，有单来谈QQ:16...

BSZ050N03MS G
深圳市畅洲科技有限公司
深圳市畅洲科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：156024408160755-82762262
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区深南中路3018号都会轩2506
资质：营业执照
10000
INFINEON/英飞凌
TDSON-8
22+
-
全新原装正品

BSZ050N03MS G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
Infineon
原厂封装
07+
-
全新原装100%正品保证质量

BSZ050N03MS G
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Infineon(英飞凌)
PG-TSDSON-8
刚到货
-
代理可含税开票

BSZ050N03MS G
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3220
INFINEON/英飞凌
QFN8
2235+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BSZ050N03MS G 其他被动元件
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
30000
INFINEON/英飞凌
NA
19+
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

BSZ050N03MS G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
INFINEON
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

BSZ050N03MS G
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
46700
INFINEON/英飞凌
NA
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

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功能描述
MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BSZ050N03MS G 技术参数

BSZ050N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2800pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ0506NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 标准包装:1 BSZ0503NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:5,000 BSZ0502NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:5,000 BSZ0501NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2000pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:5,000 BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ067N06LS3 G BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ068N06NSATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ086P03NS3 G BSZ086P03NS3E G BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 BSZ0901NS BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSI BSZ0901NSIATMA1

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